მზის ელემენტის მიღება დაბალტემპერატურული მეთოდებით

ავტორი: ნიკა ქოჩქიანი
საკვანძო სიტყვები: მზე, ელემენტი, დაბალი, ტემპერატურა
ანოტაცია:

სადიპლომო ნაშრომში წარმოდგენილია ნახევარგამტარ სილიციუმის საფუძველზე მზის ელემენტის მიღების დაბალტემპერატურული ტექნოლოგია და მისი ძირითადი ელექტრო–ფიზიკური პარამეტრების განსაზღვრა. მათი მიღების ტრადიციული ტექნოლოგია მაღალტემპერატურულია (~1100C), რომელიც იწვევს გვერდით, უმართავ მოვლენებს, რაც აუარესებს ხელსაეყოს პარამეტრებს. გარდა ამისა, მზის ელემენტი გამოსხივების ენერგიას, შეიძლება ითქვას ამ და სხვა ბუნებრივი დანაკარგების გამო, ნაწილობრივ გარდაქმნის ელექტრულ ენერგიად. ამ წყაროს სრული გამოყენება შეფერხებულია და თანამედროვე ეტაპზე მთავარია შეიქმნას ისეთი მოწყობილობის კონსტრუქცია, რომელიც უზრუნველყოფს მზის ენერგიის გარდაქმნას ელექტრულში რაც შეიძლება მცირე დანაკარგებით. ნაშრომში განხილულია ასეთი მოწყობილობის შექმნის ერთ–ერთი ცდა. სადიპლომო ნაშრომში შემუშავებულია მზის ელემენტის მიღების ტექნოლოგიური მარშრუტი, დიფუზანტების დაფენის მარტივი მეთოდი, შემუშავებული და გამოყენებულია დაბალტემპერატურული ორიგინალური იმპულსურ ფოტონური დიფუზიის ტექნოლოგიური პროცესები, შესწავლილია მიღებული სტრუქტურების პარამეტრების ისეთი, როგორიცაა დიფუზიური ფენის სიღრმე, ზედაპირული წინაღობა, დენის მატარებელთა კონცენტრაცია მასში და ა.შ. მიღებულ მზის ელემენტზე გაზომილია ძირითადი პარამეტრების მნიშვნელობები, როგორიცაა: მოკლე ჩართვის დენი, უქმი სვლის ძაბვა, მაქსიმალური დენი, ძაბვა და სიმძლავრე, შეგროვების კოეფიციენტი და მქკ. ჩატარებული შესაბამისი გაზომვებიდან შეჯამდა შედეგები და გაკეთდა საერთო დასკვნები, რომლებითაც დადგინდა, რომ მიღებული მზის ელემენტი სრულად აკმაყოფილებს მის წინაშე წაყენებულ მოთხოვნებს.